Y...un poco de música
miércoles, 27 de octubre de 2010
viernes, 22 de octubre de 2010
INFORMES
High Frequency es una de las revistas que suelo leer.No es extraordinaria pero siempre se aprenden cosas útiles leyéndola.Los editoriales del director de la revista sulen ser muy interesantes.Es una persona que conoce bien la profesión de la ingeniería.En el último número,Gary Breed argumenta brillantemente sobre la enorme importancia que tiene para los ingenieros el saber expresarse correctamente tanto oral como por escrito.
En DR pretendo que todo el que cursa esta asignatura se percate de sus habilidades y limitaciones para comunicar.Creo que la lectura del editorial os animará a tomaros con más entusiasmo la redacción de los informes
miércoles, 20 de octubre de 2010
EJERCICIOS ENTREGA nº6
Los ejercicios de esta semana están disponibles en este enlace
NOTA
Para introducir en un fichero tipo .cir la información relativa a un transistor bipolar del tipo NPN hay que seguir los siguientes pasos:
Supongamos que el transistor se denomina Tdr1 y está conectado entre los nodos 1,2,3 (colector 1,base 2,emisor 3),que la beta es de 350 y que la corriente inversa de saturación de la unión base-emisor es de 0.1pAmp
Q1 1 2 3 Tdr1
.model Tdr1 npn (Is=0.1e-12,BF=350)
miércoles, 13 de octubre de 2010
EJERCICIO SEMANA 5ª
En este enlace se encuentra el ejercicio propuesto para esta semana.
¡Ya está disponible en CPET (Centro de Publicaciones) el Módulo nº2!
COMENTARIOS SOBRE EL EJERCICIO:
El diodo estará en conducción para tensiones de Vg superiores a 0.7V
El punto de trabajo del diodo es:0.7V y 0.94mA
La resistencia incremental del diodo es de 27.7 Ohm
El modelo incremental del circuito es:
Cuando Vg se incrementa en 0.1V,el punto de trabajo del diodo se incrementa en:
10.1 microAmp y 280 microVolts
En cuanto a Vo que está situada a 0.93Volts (correspondientes a una I=0.93mA) ,al incrementarse la tensión Vg en 0.1V se ve afectada por un desplazamiento incremental de 9.972microAmp y 9.97 mVolts
Obsérvese que el circuito presenta escasa amplificación (0.00997/0.1)!!!
Los que dominan PSPICE pueden simular el circuito y verificar los resultados:
El fichero itao permite encontrar el punto de trabajo del diodo.(El valor utilizado para Is es de 0.05pA)
El resultado de la simulación proporciona una tensión en terminales del diodo de 0.61Volts y una corriente de 941microAmp
El desplazamiento incremental de vo se puede simular con el fichero ita1.Resulta así un desplazamiento en Vo de 9.97mVolts
Se puede cambiar en estos ficheros el valor de la corriente inversa de saturación Is del diodo y ver el efecto que tiene en la solución.
¡Ya está disponible en CPET (Centro de Publicaciones) el Módulo nº2!
COMENTARIOS SOBRE EL EJERCICIO:
El diodo estará en conducción para tensiones de Vg superiores a 0.7V
El punto de trabajo del diodo es:0.7V y 0.94mA
La resistencia incremental del diodo es de 27.7 Ohm
El modelo incremental del circuito es:
10.1 microAmp y 280 microVolts
En cuanto a Vo que está situada a 0.93Volts (correspondientes a una I=0.93mA) ,al incrementarse la tensión Vg en 0.1V se ve afectada por un desplazamiento incremental de 9.972microAmp y 9.97 mVolts
Obsérvese que el circuito presenta escasa amplificación (0.00997/0.1)!!!
Los que dominan PSPICE pueden simular el circuito y verificar los resultados:
El fichero itao permite encontrar el punto de trabajo del diodo.(El valor utilizado para Is es de 0.05pA)
El resultado de la simulación proporciona una tensión en terminales del diodo de 0.61Volts y una corriente de 941microAmp
El desplazamiento incremental de vo se puede simular con el fichero ita1.Resulta así un desplazamiento en Vo de 9.97mVolts
Se puede cambiar en estos ficheros el valor de la corriente inversa de saturación Is del diodo y ver el efecto que tiene en la solución.
miércoles, 6 de octubre de 2010
EJERCICIOS 4ª SEMANA
Nota: Para el informe puede consultarse este enlace sobre antenas de ferrita
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ANTENAS DE CUADRO PARA OM
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