Un posible fichero para describir el circuito del ejercicio anterior se muestra a continuación:
14MHz receiver input
vg 1 0 ac 1
r1 1 2 72
l2 2 0 22.8e-9
l1 3 4 303e-9
k1 l1 l2 0.9999
r2 4 0 0.27
c1 3 0 426e-12
r3 3 0 1500
.ac dec 1000 1e6 50e6
.probe
.end
Lo más destacable es el parámetro k1 que le indica a PSPICE que L1 Y L2 configuran un transformador perfecto (Acoplamiento k de valor casi la unidad).
En cuanto a L2,si L1=303nH, se obtiene sabiendo que la relación de transformación coincide con la raiz cuadrada del cociente de las inductancias del primario y secundario
martes, 16 de noviembre de 2010
miércoles, 10 de noviembre de 2010
EJERCICIOS ENTREGA nº9
En este enlace está disponible el ejercicio de esta semana
AVISO
Ya están disponibles las notas de clase relativas al "Diseño de una radio baliza"
AVISO
Ya están disponibles las notas de clase relativas al "Diseño de una radio baliza"
miércoles, 3 de noviembre de 2010
EJERCICICIOS ENTREGA nº8
En este enlace está el ejercicicio propuesto para esta semana.
Se adjuntan aquí las dos figuras que deben formar parte de la memoria técnica del receptor regenerativo.
Esquema completo
Modelo circuital
AVISO
Ya están disponibles en el Centro de publicaciones las notas de clase "Filtros y transformadores para RF"
...y un poco de música
miércoles, 27 de octubre de 2010
viernes, 22 de octubre de 2010
INFORMES
High Frequency es una de las revistas que suelo leer.No es extraordinaria pero siempre se aprenden cosas útiles leyéndola.Los editoriales del director de la revista sulen ser muy interesantes.Es una persona que conoce bien la profesión de la ingeniería.En el último número,Gary Breed argumenta brillantemente sobre la enorme importancia que tiene para los ingenieros el saber expresarse correctamente tanto oral como por escrito.
En DR pretendo que todo el que cursa esta asignatura se percate de sus habilidades y limitaciones para comunicar.Creo que la lectura del editorial os animará a tomaros con más entusiasmo la redacción de los informes
miércoles, 20 de octubre de 2010
EJERCICIOS ENTREGA nº6
Los ejercicios de esta semana están disponibles en este enlace
NOTA
Para introducir en un fichero tipo .cir la información relativa a un transistor bipolar del tipo NPN hay que seguir los siguientes pasos:
Supongamos que el transistor se denomina Tdr1 y está conectado entre los nodos 1,2,3 (colector 1,base 2,emisor 3),que la beta es de 350 y que la corriente inversa de saturación de la unión base-emisor es de 0.1pAmp
Q1 1 2 3 Tdr1
.model Tdr1 npn (Is=0.1e-12,BF=350)
miércoles, 13 de octubre de 2010
EJERCICIO SEMANA 5ª
En este enlace se encuentra el ejercicio propuesto para esta semana.
¡Ya está disponible en CPET (Centro de Publicaciones) el Módulo nº2!
COMENTARIOS SOBRE EL EJERCICIO:
El diodo estará en conducción para tensiones de Vg superiores a 0.7V
El punto de trabajo del diodo es:0.7V y 0.94mA
La resistencia incremental del diodo es de 27.7 Ohm
El modelo incremental del circuito es:
Cuando Vg se incrementa en 0.1V,el punto de trabajo del diodo se incrementa en:
10.1 microAmp y 280 microVolts
En cuanto a Vo que está situada a 0.93Volts (correspondientes a una I=0.93mA) ,al incrementarse la tensión Vg en 0.1V se ve afectada por un desplazamiento incremental de 9.972microAmp y 9.97 mVolts
Obsérvese que el circuito presenta escasa amplificación (0.00997/0.1)!!!
Los que dominan PSPICE pueden simular el circuito y verificar los resultados:
El fichero itao permite encontrar el punto de trabajo del diodo.(El valor utilizado para Is es de 0.05pA)
El resultado de la simulación proporciona una tensión en terminales del diodo de 0.61Volts y una corriente de 941microAmp
El desplazamiento incremental de vo se puede simular con el fichero ita1.Resulta así un desplazamiento en Vo de 9.97mVolts
Se puede cambiar en estos ficheros el valor de la corriente inversa de saturación Is del diodo y ver el efecto que tiene en la solución.
¡Ya está disponible en CPET (Centro de Publicaciones) el Módulo nº2!
COMENTARIOS SOBRE EL EJERCICIO:
El diodo estará en conducción para tensiones de Vg superiores a 0.7V
El punto de trabajo del diodo es:0.7V y 0.94mA
La resistencia incremental del diodo es de 27.7 Ohm
El modelo incremental del circuito es:
10.1 microAmp y 280 microVolts
En cuanto a Vo que está situada a 0.93Volts (correspondientes a una I=0.93mA) ,al incrementarse la tensión Vg en 0.1V se ve afectada por un desplazamiento incremental de 9.972microAmp y 9.97 mVolts
Obsérvese que el circuito presenta escasa amplificación (0.00997/0.1)!!!
Los que dominan PSPICE pueden simular el circuito y verificar los resultados:
El fichero itao permite encontrar el punto de trabajo del diodo.(El valor utilizado para Is es de 0.05pA)
El resultado de la simulación proporciona una tensión en terminales del diodo de 0.61Volts y una corriente de 941microAmp
El desplazamiento incremental de vo se puede simular con el fichero ita1.Resulta así un desplazamiento en Vo de 9.97mVolts
Se puede cambiar en estos ficheros el valor de la corriente inversa de saturación Is del diodo y ver el efecto que tiene en la solución.
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